编辑：sx_yanxf
2016-09-06
威廉希尔app 初中频道为大家编辑了物理百科课外小知识相关内容，供大家参考阅读，和小编一起加油努力吧。
间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)
指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，价带顶位于K空间原点，而导带底并不在K空间的原点。因此，间接带隙半导体中电子不仅吸收光子还与晶格交换能量，发生非直接跃迁。伴随发射或吸收适当的声子，电子的波矢K可以改变。GaP是间接带隙半导体，其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体，则可调节x(0
精品小编为大家整理的物理百科课外小知识大家仔细阅读了么，最后祝大家学习进步。
相关推荐：
标签：物理
威廉希尔app (51edu.com)在建设过程中引用了互联网上的一些信息资源并对有明确来源的信息注明了出处，版权归原作者及原网站所有，如果您对本站信息资源版权的归属问题存有异议，请您致信qinquan#51edu.com(将#换成@)，我们会立即做出答复并及时解决。如果您认为本站有侵犯您权益的行为，请通知我们，我们一定根据实际情况及时处理。