我们要振作精神，下苦功学习。聪明出于勤奋，天才在于积累。威廉希尔app 小编准备了课外百科物理知识点，希望能帮助到大家。

在平行于膜表面外磁场H0中厚为2d的小样品超导薄膜，由GL理论研究给出临界尺寸`d_K=sqrt5delta_0//2=1.12delta_0`和ddK时HK1称过冷临界磁场)，这里δ0和HKM分别为对大样品言的弱场穿透深度和热力学临界磁场。在d=dK附近，金兹堡(V.L.Ginzburg)给出的研究结果用图示表示在图1～图4上，图中符号FSH和FnH分别是磁场中超导相和正常相的自由能密度，M和ψ0分别表示磁化强度和约化GL有序参量。

图2是d>dK的情形，H0增大在H0H0>HK1之间，在ψ0≠0时则既有极小值，又有极大值，但FSHH0>HK之间时，FSH>FnH，此时极小值的超导相是亚稳的。H=HK2时极小值消失，样品从ψ0≠0跃入ψ0=0的正常相。HK2称过热边界或过热临界磁场。

相反过程，即样品处于正常态时减小磁场H0到HK2以下，但FSH>FnH，此时ψ0=0的正常相是稳定的。再减小至H0=HK时，FSH=FnH。再减小在HK1H0>HK1区间可存在亚稳正常相。所以HK又是亚稳超导相和亚稳正常相的边界。见图3。出现亚稳相的相变是一级相变。ddK才可有亚稳相(态)出现，所以dK是一级和二级相变的样品尺寸临界值，称临界尺寸。

小编为大家精心推荐的课外百科物理知识点还满意吗?相信大家都会仔细阅读，加油哦!

相关推荐：

百科物理知识点之本征半导体（intrinsicsemiconductor） 

课外百科物理知识之交流损耗（alternatingcurrent(A.C.)powerloss）